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晶体缺陷的概念及分类

晶体缺陷的概念及分类

  在理想完整晶体中,原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中,由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响,原子的排列不可能那样完整和规则,往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷,它破坏了晶体的对称性。


  晶体中存在的缺陷种类很多,根据几何形状和涉及的范围常可分为点缺陷、面缺陷、线缺陷几种主要类型。


  点缺陷:是指三维尺寸都很小,不超过几个原子直径的缺陷。主要有空位和间隙原子


  空位是指未被原子所占有的晶格结点。间隙原子是处在晶格间隙中的多余原子。点缺陷的出现,使周围的原子发生靠拢或撑开,造成晶格畸变。使材料的强度、硬度和电阻率增加。所以金属中,点缺陷越多,它的强度、硬度越高。


  线缺陷:是指三维空间中在二维方向上尺寸较小,在另一维方面上尺寸较大的缺陷。属于这类缺陷主要是位错。什么是位错呢?


  位错是晶体中的某处有一列或若干列原子发生了某种有规律的错排现象。


  面缺陷:是指二维尺寸很大而第三维尺寸很小的缺陷。通常是指晶界和亚晶界。


  晶界:晶粒之间的边界称为晶界。


  亚晶界:亚晶粒之间的边界叫亚晶界。


  按缺陷的形成又可以分为本征缺陷和杂质缺陷。


  本征缺陷——由晶体本身偏离晶格结构形成的缺陷,是由于晶格结点上的粒子的热运动产生的,也称热缺陷。如:


  空位缺陷:晶格结点缺少了某些原子(或离子)而出现了空位。


  间充缺陷:在晶格结点的空隙中,间充有原子(或离子)。


  错位缺陷:在晶格结点上A类原子占据了B类原子所应占据的位置。


  非整比缺陷:晶体的组成偏离了定组成定律的非整比性的缺陷。


  杂质缺陷——杂质粒子进入晶体形成的缺陷,如杂质粒子和间隙粒子缺陷。


  晶体缺陷一般对晶体的化学性质影响较小,而对晶体的一些物理性质如导电性、磁性、光学性能及机械性能影响很大。


  工业上使用的金属材料绝大多数都是多晶体。


  由于晶格空位和间隙原子的出现,原子间的作用力平衡被破坏,使其周围的其它原子发生移动,偏离晶体的结点位置,这种现象称为晶格畸变。

晶体缺陷 概念 分类 点缺陷 线缺陷 面缺陷 本征缺陷 空位缺陷 间充缺陷 错位缺陷

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