缺陷符号 以二元化合物MX为例

　　1） 晶格空位：正常结点位没有质点，VM，VX

　　2） 间隙离子：除正常结点位置外的位置出现了质点，Mi ，Xx

　　3） 错位离子：M排列在X位置，或X排列在M位置上，若处在正常结点位置上，则MM，XX

　　4） 取代离子：外来杂质L进入晶体中，若取代M，则LM，若取代X，则LX，若占据间隙位，则Li。

　　5） 自由电子 e’（代表存在一个负电荷），，表示有效电荷。

　　6） 电子空穴 h?(代表存在一个正电荷)，?表示有效正电荷

　　如：

　　从NaCl晶体中取走一个Na+，留下一个空位 造成电价不平衡，多出负一价 。相当于取走Na原子加一个负有效负电荷，e失去→自由电子，剩下位置为电子空穴h?

　　7） 复合缺陷

　　同时出现正负离子空位时，形成复合缺陷，双空位。

　　VM+VX→（VM- VX）

　　缺陷反应方程式

　　必须遵守三个原则

　　1） 位置平衡——反应前后位置数不变（相对物质位置而言）

　　2） 质点平衡——反应前后质量不变（相对加入物质而言）

　　3） 电价平衡——反应前后呈电中性

　　例：将CaCl2引入KCl中：

　　将CaO引入ZrO2中

　　注意：只从缺陷反应方程看，只要符合三个平衡就是对的，但实际上往往只有一种是对的，这要知道其它条件才能确定哪个缺陷反应是正确的。

　　确定（1）式密度增加，要根据具体实验和计算。

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