硅超快传感器
该研究在原有LGAD硅超快传感器工艺上增加了碳掺杂工艺，降低了辐照引起硅传感器中硼掺杂的移除速率，提高了抗辐照性能。在经过高亮度LHC要求的超高辐照量(2.5×1015/cm2/s等效中子通量)后，仍能实现30-40皮秒的时间分辨率，并且可以工作在300-400V的较低电压下。经CERN束流测试验证，低工作电压避免了由单粒子击穿导致的辐照损伤。该LGAD硅超快传感器由中科院高能所与微电子研究所合作研制。
ATLAS合作组的HGTD项目是大型强子对撞机高亮度II期升级(LHC Phase-II)升级的一部分。其目标是研制6.4平方米的抗辐照超快硅探测器，利用高精度的时间信息来区分空间上距离较近的对撞事例，从而提高探测器物理性能。该项目研发的硅超快传感器，超快读出芯片和大面积超快探测器集成等均是国际前沿的新技术。以高能所为主体的中国组将承担HGTD项目超过1/3的传感器研制，近一半的探测器模块研制，与全部的前端电路板研制。
HGTD项目得到国家自然科学基金委员会、核探测与核电子学国家重点实验室等的支持。
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