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电池工艺对组件衰减的影响

电池工艺对组件衰减的影响

  电池片的生产过程是极其重要的一个过程,工艺参数的稳定性及差异性会对电池片的功率输出造成极大的波动,间接引起组件衰减过大,产品不合格。基于此,本文从电池片生产过程的一些重要环节入手,找出其中存在的问题,加以优化改进,提高产品质量,节约成本。

  1电池工艺对组件功率损失的分析

  1.1 光学损耗

  地面用硅太阳能电池的光谱响应范围一般为300nm~1100nm,因此,任何这一波段的光进入电池都会造成光学上的损失[1]。可以从光的透射和反射两方面进行分析[2]。太阳能多晶电池的表面会沉积一层减反射膜,即氮化硅膜,做成组件之后其上有EVA和钢化玻璃(两者的折射率约为1.48左右),如图1所示。为使组件的透射率达到最大的减反效果,还需要使SiNx膜的折射率、EVA和玻璃的折射率得到最好的匹配结果和最佳光学上的减反射效果,这样可以有效地增加组件的输出功率。

  增透膜是根据薄膜干涉原理,在介质表面镀一层或多层薄膜,可以有效减少光的反射,这种膜就是减反射膜[3]。当光垂直入射时,介质表面的反射率见式(1):

  依据上述原理可根据组件钢化玻璃或镀膜玻璃与EVA的不同折射率,设计相应的氮化硅薄膜的折射率,达到组件的光学最佳匹配。

  1.2 电学损失

  电池引起的电学损耗包括电池片串联时电流不匹配、焊条与电极的接触电阻、扩散方阻不均匀引起的功率损失、电池片边缘摩擦后引起边缘短路等。本文主要研究扩散方阻不均匀与电池摩擦的电学损失。扩散方阻不均匀是指扩散之后,硅片出现部分扩散不到区域,此区域方阻值较大,容易造成漏电过大和电池片串阻过高。接受光照时,因方阻不均匀,电池片方阻较小区域容易发热过高,导致电池片温度升高,继而引起效率降低。图2、图3为扩散不均匀硅片与EL图像。

  摩擦功损主要存在于使用湿法刻边工艺的电池片中,电池片经丝网印刷烧结之后,皮带传输、质检分选、组件焊接等过程中片与皮带、片与片之间摩擦时造成边缘残留金属粉粒,从而导致漏电增大,效率降低。

  2实验方案与分析

  2.1 PECVD的配方优化实验[4]

  设计2组不同折射率的双层氮化硅膜实验,一组以空气、双层氮化硅、硅片为光传输介质;另一组以钢化玻璃与EVA、双层氮化硅、硅片为传输介质。根据,已知空气折射率为1.0、组件钢化玻璃与EVA的折射率为1.48,硅的折射率为2.76,可计算出2组氮化硅双层膜的折射率。选取电池吸收波长能量最大的600nm计算相应的双层膜厚。将上述2组材料做成组件测试其衰减情况,封装结果见表1。

  2.2扩散方阻不均匀的实验

  选取2组扩散实验片,每组600片,一组片内偏差较大,二组方阻均匀,共制作6块组件。图4为2组组件的EL图,由图4可看出,偏差较大分组EL图像中明显存在偏暗或偏亮的区域。

  表2为组件测试数据,由表2数据看出,片内方阻偏差较大的功率损失较大,主要因为,方阻偏差较大,电池片内部电流分布不均匀,导致局部结浅,串联电阻较大,同时容易导致漏电增大,最终导致功率损失变大。

  2.3 电池片摩擦实验

  选取2组相同效率段电池片,每组10片,一组使用激光切边,二组为正常湿法切边,人为模拟片与片之间的摩擦,观察摩擦前后的数据。表3、表4分别为摩擦前、后的数据对比。由表4数据看出,激光切边摩擦前、后的数据比较稳定,而湿法切边摩擦前、后的数据对比差距比较明显,主要表现在并阻降低、反向电流升高、填充降低。

  使用显微镜观察摩擦前、后电池片边缘,如图5所示。

  由图5看出,摩擦后电池片边缘会出现亮点,分析其成分应为浆料,正是其导致摩擦后边缘短路;而激光切边后因为激光切断正面边缘PN结,即使边缘残留浆料粉末,也不影响其导电性。

  3结论

  组件的功率损失分为光学损失与电学损失,光学损失可通过优化氮化硅的折射率,匹配组件玻璃与EVA;电学损失中,扩散不均匀需调整扩散配方参数、制绒表面均匀性降低片内偏差[5];电池摩擦可采用每日清洗传输皮带、变更质检检片手法等方式解决。

  参考文献:

  [1]帅争峰,杨宏,雷咸道.晶体硅太阳电池组件封装的电学损失分析[J].电源技术,2014(1):82-84.

  [2]YANG H,WANG H.Performance analysis of crystalline solar modules with the same peakpower and thedifferent structure[J].Clean Technologies and Environmental Policy,2011(13):527-533.

  [3]李中华.晶硅太阳电池双层减反膜的研究[D].北京:北京交通大学,2011:14-15.

  [4]吴清鑫,陈光红,于映,等.PECVD法生长氮化硅工艺的研究[J].功能材料,2007,5(38):703-705.

  [5]何堂贵,唐广.晶体硅太阳电池扩散气氛场均匀性研究[J].电子设计工程,2009,17(9):55-57.

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