在有效质量近似和偶极矩近似下，考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应，采用变分法详细研究了 势垒中 Mg 含量和离子施主杂质中心位置对受限于纤锌矿 ZnO/MgxZn1-xO 圆柱形应变量子点中离子施主束缚激子 (D+, X)体系的带间光跃迁吸收系数的影响。 计算结果表明：当垒中 Mg 含量 x<0.25 时，随着 Mg 含量的增加，(D+, X) 体系的光跃迁吸收峰向高能方向移动，出现蓝移现象;而当 x>0.25 时，随着 Mg 含量的增加，吸收曲线向低能方向移 动，出现红移现象。 (D+, X)体系的带间光跃迁吸收峰强度随着 Mg 含量的增加而减弱。 随着离子施主杂质从量子点左 边界沿材料生长方向移至量子点右边界时，光跃迁吸收峰发生蓝移。 当在量子点中心左侧沿径向移动离子施主杂质 时，光跃迁吸收峰向高能方向移动，发生蓝移现象;而当在量子点中心右侧沿径向移动离子施主杂质时，吸收曲线发 生红移现象，但离子施主杂质的掺入位置对光跃迁吸收峰强度影响不明显。
在有效质量近似和偶极矩近似下，考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应，采用变分法详细研究了 势垒中 Mg 含量和离子施主杂质中心位置对受限于纤锌矿 ZnO/MgxZn1-xO 圆柱形应变量子点中离子施主束缚激子 (D+, X)体系的带间光跃迁吸收系数的影响。 计算结果表明：当垒中 Mg 含量 x<0.25 时，随着 Mg 含量的增加，(D+, X) 体系的光跃迁吸收峰向高能方向移动，出现蓝移现象;而当 x>0.25 时，随着 Mg 含量的增加，吸收曲线向低能方向移 动，出现红移现象。 (D+, X)体系的带间光跃迁吸收峰强度随着 Mg 含量的增加而减弱。 随着离子施主杂质从量子点左 边界沿材料生长方向移至量子点右边界时，光跃迁吸收峰发生蓝移。 当在量子点中心左侧沿径向移动离子施主杂质 时，光跃迁吸收峰向高能方向移动，发生蓝移现象;而当在量子点中心右侧沿径向移动离子施主杂质时，吸收曲线发 生红移现象，但离子施主杂质的掺入位置对光跃迁吸收峰强度影响不明显。
