ZnO 是一种性能优异的半导体材料，室温下禁带宽度为3. 37 eV，激子束缚能为60 meV，具有很好的光学、电学、催化特性。ZnO 具有压电性，可以应用于光电器件、传感器、催化剂和复合材料等方面。ZnO 不仅能制成良好的半导体和压电薄膜，亦能通过掺杂制成良好的透明导电薄膜，且原料易得、价廉、毒性小、制备方法多种多样，可以适应不同需求，已成为一种用途广泛、具有开发潜力的薄膜材料之一。
随着第三代半导体的出现和进一步发展，随着新能源开始进入人们的日常话题，人们对氧化锌的研究越来越广泛，对ZnO的光学性质也进行了广泛的研究。
许多科学家研究掺杂氧化锌的光学性质。研究人员通过湿式氧化掺杂工艺制备了Ag掺杂的ZnO纳米结构，并对其微结构和光学性质进行了研究。高电子透射电镜显示Ag已经存在于氧化锌纳米线中，XPS显示Ag以氧化物的化学状态存在于氧化锌中。PL谱表明，掺银氧化锌的紫外激发是纯氧化锌的三倍以上，因为Ag光载流子比Zn离子更容易逃逸。如果将这种材料制成发光器件，这种器件的发光效率将大大提高。
国内外科学家还尝试双掺杂氧化锌，进一步改变材料的光学性质。研究人员通过退火来研究铝-mdash；镓共掺杂氧化锌薄膜的光电性能。450℃退火的样品电阻率降低，载流子浓度增加。Al & mdashGa共掺杂使ZnO的光学带隙增大，ZnO的费米能级发生位移。另一位研究人员研究了掺钯氧化锌光催化性能的变化，结果表明，掺钯氧化锌比纯氧化锌表现出更好的光催化性能。还发现Pd掺杂的ZnO增强了可见光区的吸收，提高了光生电荷的分离率。光催化的提高有助于提高光吸收能力和光生载流子的分离率。
