高纯铋主要用于核工业、航天工业、电子工业等部门。因为铋具有半导体特性，在低温下，其电阻随着温度的升高而降低。在热电制冷和热电发电方面，Bi2Te3和Bi2Se3合金以及Bi-Sb-Te三元合金最具吸引力。铟铋合金和铅铋合金都是超导材料。铋熔点低、密度大、蒸汽压低、中子吸收截面小，可用于高温原子反应堆。

将49%精铋提纯为59%高纯铋的方法有很多，其中最具工业价值的是true 空蒸馏和区域提纯。

一、真空蒸馏

铋还含有微量杂质，可分为挥发性杂质和难挥发性杂质。挥发性杂质可用real 空加热法去除，难挥发性杂质可用real 空蒸馏法去除。

True 空过滤是在一个垂直的石英管中，在0.1333 Pa的true 空度和1000℃的温度下加热4小时，使熔融金属在true 空下通过一个2mm的窄孔，除去表面的氧化膜。真空过滤后可以

将真空过滤后的铋置于石英管中，温度控制在950 ~ 1050℃，真空度保持在0.1333 Pa，进行真空蒸馏。在上述条件下，铋的蒸气压为106.7 ~ 399.97 Pa，铋的蒸发率达到85%。通过真空蒸馏，除去镍、钼、银、铜、锰等杂质。富集在蒸馏残渣中，馏出物为纯度为59%的铋，可用于半导体工业。

由于铅和铋的饱和蒸气压相近，抛蒸馏法不能满足除铅的要求。而氯化铅的自由焓比氯化铋的自由焓更负，即铅的氯化物比铋的氯化物更稳定。所以通常先氯化除铅，再用real 空蒸馏除去银等难挥发杂质。

为降低熔融铋中的氯化物含量，可采用氨吹法或氯化物真空蒸馏，真空度控制在0.6666 Pa，温度650℃。此时，BiCl3和PbCl2优先蒸发并与金属铋分离。

第二，区域净化

熔融铋冷却结晶时，杂质先于铋凝结，沉淀在容器边缘，所以铋锭中心的杂质比铋锭边缘的少。根据这一原理，区域提纯是通过区域加热使铋棒熔化，通过熔化区的缓慢运动和反复的返回运动，使杂质富集在铋棒的头部和尾部，达到提纯的目的。

为了提前除去铋中的氧化物，在真空度约3.333 Pa下，将铋滴入耐温玻璃管或石墨舟内。滴完后，将玻璃管在真实空度下封闭，并放入玻璃套管中。

区精炼炉一般拉石墨舟不动，而是采用自动往复移动的感应加热装置，因为高频感应加热有自然搅拌作用。

区熔提纯时，熔化区与棒长之比为1∶24，石墨舟倾角为1° ~ 3°。熔化区移动速度和行程次数与铋原料质量、舟皿截面积等因素有关，加热温度控制在600℃左右。